Epitaksiyel Grafen Kuvantum Noktalarının Üretilmesi ve Yapısal Karakterizasyonlarının Yapılması

Abstract

Bu proje, nanoküre litografisi ve kuru aşındırma tekniklerini kullanarak, dünyada ilk kez epitaksiyel grafenden kontrollü boyut ve homojenlikte grafen kuantum noktaları üretmeyi amaçlamaktadır. SiC tabanı üzerinde büyütülecek bu yapılar, yüksek elektronik hareketlilik sunarken, optoelektronik, malzeme bilimi ve yarıiletken teknolojisi gibi alanlarda büyük fırsatlar sağlamayı hedeflemektedir. Proje, grafen kuantum noktalarının boyut ve özelliklerinin sistematik olarak araştırılmasına olanak tanıyan bir altyapı oluşturacaktır.